Dopage laser et diffusion du bore dans le silicium amorphe

dc.contributor.author	Dahlouk, Cherifa
dc.contributor.author	KACIMI, H.
dc.date.accessioned	2022-05-09T08:00:21Z
dc.date.available	2022-05-09T08:00:21Z
dc.date.issued	2019
dc.description.abstract	"Le procédé de dopage assisté par laser étudié dans le cadre de cette étude repose sur la diffusion accélérée des atomes dopants du bore au sein d'une phase de silicium amorphe grâce à l'énergie apportée par une impulsion laser, un couplage des équations de la chaleur à celle de diffusion est nécessaire pour réaliser le calcul en utilisant l'outil de simulation Comsol Multiphysics. Notre modèle permet de déterminer l'évolution temporelle de la température et la concentration de bore en profondeur de notre échantillon."	fr
dc.identifier.citation	Energies renouvelables en mécanique	fr
dc.identifier.govdoc	M119212
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-medea.dz/handle/123456789/1693
dc.language.iso	fr	fr
dc.relation.ispartofseries	MF 4220;
dc.subject	Semi-conducteur	fr
dc.subject	Silicium	fr
dc.subject	Dopage	fr
dc.subject	Laser	fr
dc.subject	Modélisation	fr
dc.subject	Comsol multyphysics	fr
dc.title	Dopage laser et diffusion du bore dans le silicium amorphe	fr
dc.type	Memoire	fr

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