Dopage laser et diffusion du bore dans le silicium amorphe

Abstract

"Le procédé de dopage assisté par laser étudié dans le cadre de cette étude repose sur la diffusion accélérée des atomes dopants du bore au sein d'une phase de silicium amorphe grâce à l'énergie apportée par une impulsion laser, un couplage des équations de la chaleur à celle de diffusion est nécessaire pour réaliser le calcul en utilisant l'outil de simulation Comsol Multiphysics. Notre modèle permet de déterminer l'évolution temporelle de la température et la concentration de bore en profondeur de notre échantillon."