ELABORATION ET CARACTERISATION ELECTRIQUE DE L’OXYDE D’ETAIN EN COUCHES MINCES DEPOSE PAR PECVD EN FONCTION DE LA PRESSION D’OXYGENE

Abstract

Ce travail présente l’élaboration des couches minces de dioxyde d’étain par une réaction chimique peut être activé à l’aide d’un plasma. A cet effet, Nous avons utilisé pour le dépôt de couches minces la technique PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le dispositif expérimental de la technique PECVD a été mis au point au sein du laboratoire de physique à l’université de Médéa. Les conditions expérimentales, notamment, le débit d’oxygène est choisi variable dans le but d’obtenir les meilleures propriétés électriques et structurales à fin que ces propriétés font de l’oxyde d’étain un matériau clé parmis les TCO. La technique de la diffraction des Rx, nous a permis d’identifier la structure de l’oxyde d’étain en couches minces. L’orientation préférentielle de la croissance cristalline de la plus part des couches minces est selon les directions <110> et <200> et la taille de grain varie entre (20,80 – 42,47) nm. Ce changement de l’orientation préférentielle traduit l’apparence d’autre phase ce qui influe sur le changement du comportement électrique par la variation de la résistivité. Les propriétés électriques obtenues par effet Hall sont étudiées en fonction de la pression d’oxygène. Une résistance carrée de 8.33W/□ et la taille de grain varie entre ii (20,80 – 42,47) nm obtenues dans ce travail font de l’oxyde d’étain en couches minces un matériau très compétitif dans la famille des TCO. Les propriétés électriques de l’oxyde d’étain en couches minces font l’objet de plusieurs applications notamment dans le domaine photovoltaïque et la détection des gaz polluants.