L’effet de l’introduction d’une couche tampon dans des structures magnétiques à base de semi-conducteurs, analyse de résultats obtenus par magnéto-transport.

Abstract

Dans un effort de combiner l’exploitation des propriétés magnétiques et électroniques, la spintronique, essayant de développer de nouveaux matériaux et des nouvelles structures, se propose comme un domaine immergeant pouvant permettre de bénéficier d’un tel avantage. Les semi-conducteurs magnétiques dilués sont projetés pour être à la base de composant reliant dans leur fonctionnement, à la fois la charge et le spin des électrons. Dans le mémoire, une utilisation d’une technique de magnétométrie à effet Hall est développée dans une application sur un matériau de type GaMnxAs/InyGaAs. Le but étant d’étudier l’effet de la contrainte d’épitaxie, introduite par la couche tampon de InyGaAs, sur l’orientation de l’aimantation dans la couche magnétique du GaMnxAs.Un contrôle précis de l’aimantation est réalisé par l’analyse de mesures de magnéto-transport faite dans la phase ferromagnétique à basse température.