Effet des contraintes d’épitaxie sur la division des bandes des trous dans un semi-conducteur magnétique dilué à base de GaMnAs/InGaAs/GaAs

Abstract

Le couplage des propriétés ferromagnétiques et semi-conductrices a permis de réaliser des nouvelles technologies qui exploitent le spin des électrons, c’est la spintronique ; le domaine qui cherche à miniaturiser des composants et à augmenter la performance des dispositifs électroniques. Dans ce cadre, de nouveaux matériaux sont étudiés dont les semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS), où la structure de bande électronique a un rôle primordial sur leurs propriétés magnétiques. L’objectif de ce travail est d’étudier l’effet des contraintes d’épitaxie sur la division des bandes des trous lourds et des trous légers, et aussi les propriétés structurales, électroniques, et magnétiques d’un matériau qui a un intérêt technologique bien particulier dans les applications de la spintronique, le GaMnAs/InGaAs/GaAs. Cette étude est réalisée par la méthode des orbitales muffin-tin linéarisées avec un potentiel total (FP ¡LMTO) dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT , pour déterminer le potentiel d’échange-corrélation.