Effet de la pression sur les propriétés électroniques, et magnétiques de l’alliage ternaire de type Heusler Ti2VZ (Z=Sn, Pb) : Méthode de premier principe

Abstract

Dans le but d’améliorer ses conditions de vie, l’homme a toujours essayé de créer à partir de son environnement des outils. Au cours de ces dernières décennies, il a trouvé la matière première de toute sorte de technologie grâce au tableau périodique de Mendeleïev. La branche scientifique dite des matériaux lui a donné l’accès à l’échelle atomique pour bien étudier, comprendre, calculer et prédire les propriétés des matériaux. Prenant l’avantage de l’apparition de nouvelles caractéristiques lors de la combinaison de deux éléments qui ne signifie pas la combinaison de leur caractéristique primitive. La science des matériaux essaye d’exposer toutes relations existantes entre la structure des matériaux et leurs propriétés (comment la répartition des éléments constituants le matériau affecte ses propriétés) avant d’utiliser les solides(matériaux) dans l’industrie . Pour une meilleur amélioration et progression des applications technologiques , il faut s’assurer des qualités de propriétés des matériaux utilisés ( structurales ,magnétiques , électroniques , optiques,. . . etc.). Pour cela, et au cours des dernières décennies beaucoup de techniques de calculs de la structure électroniques ont été mise en point. Parmi elles les méthodes de simulation dites méthodes ab initio qui ont pu remplacer les expériences et leurs inconvénients comme : parfois dangereuses, couteuses, ou bien l’inaccessibilité aux laboratoires. Ces méthodes dites de premiers principes ont pour origine le formalisme de la fonctionnelle de la densité (DFT) et ses deux approximations de l’énergie d’échange et de corrélation : l’approximation de la densité local (LDA) et l’approximation du gradient généralisé (GGA). Pour la DFT l’énergie totale d’un système est une fonctionnelle de la densité électronique ce qui est dit par les théorèmes de Hohenberg Kohn 1964, qui est la base du formalisme de la DFT.