Etude des propriétés physiques des couches minces de ZnO :Al préparées par PECVD : Expériences associées aux calculs DFT

Abstract

l’eutde théorique des propriétés structurelles et électroniques du ZnO et de l’Al dopé au ZnO a été effctuée par le premier principe basé sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) et la méthode des ondes planes, où les effets d’échange et de corrélation sont manipulés par approximation généralisée du gradient (GGA, PBE). Nous avons utilisé , une supercellule de wurtzite périodique 2 × 1 × 1 de ZnO qui se compose de 10 atomes avec un ion Al substitué à un atome de Zn.De plus ,nous avons comparé les calculs théoriques avec les résultats de l’expérience dans laquelle nous nous sommes appuyés sur le dépôt de couches minces de ZnO dopé et non dopé par la technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Les calculs ont montré que la valeur de la bande interdite est de 0,718 eV pour le ZnO non dopé, ce qui est beaucoup plus petit par rapport à la valeur atteinte expé- rimentalement. Cette valeur diminue avec l’augmentation du pourcentage de dopage Al. L’oxyde de zinc a une forte conductivité et une bonne transmission.Ces propriétés augmentent avec l’augmentation du dopage à l’aluminium