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"Prédiction de propriétés structurales, électroniques, optiques et magnétiques du matériau semi-conducteur GaAs"

dc.contributor.authorAid, Nour el Houda
dc.contributor.authorKouadri, Fella
dc.contributor.authorChiba, younes
dc.date.accessioned2022-06-05T09:30:50Z
dc.date.available2022-06-05T09:30:50Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstract"Le sujet de ce mémoire s’intéresse, dans le cadre d’une étude de premier principe, à l’étude des propriétés structurales. Puis nous avons calculé les propriétés électroniques, optiques et magnétiques pour le semi-conducteur GaAs en utilisant la méthode Full Potentiel linear muffin-tin orbital (FP-LMTO) et FP-LAPW. Ces méthode se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). L’énergie d’échange et de corrélation est décrite par l’approximation de la densité locale (LDA) en utilisant les paramètres de perdew et l’approximation du gradient généralisé GGA. Les propriétés calculées sont en bon accord avec les données expérimentales et théoriques disponibles. D'après les résultats des propriétés calculées, nous constatons que notre matériau GaAs a un comportement semi-conducteur"fr
dc.identifier.citationgenie des procédes de matérauxfr
dc.identifier.govdocM121118
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-medea.dz/handle/123456789/4381
dc.language.isofrfr
dc.relation.ispartofseriesMF 4923;
dc.subjectDFTfr
dc.subjectFPfr
dc.subjectLMTOfr
dc.subjectFP-LAPWfr
dc.subjectGaAsfr
dc.title"Prédiction de propriétés structurales, électroniques, optiques et magnétiques du matériau semi-conducteur GaAs"fr
dc.typeMemoirefr

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