Détection par magnéto-transport de l aimantation dans des structure DMS à base de Ga1􀀀xMnxAs

Abstract

Dans un e¤ort de combiner l exploitation des propriétés magnétiques et électroniques, la spintronique, essayant de développer de nouveaux matériaux et des nouvelles structures, se propose comme un domaine immergeant pouvant permettre de béné cier d un tel avantage. Les semi-conducteurs magnétiques dilués sont projetés pour être à la base de composant reliant dans leur fonctionnement, à la fois la charge et le spin des électrons. Dans le mémoire, une utilisation d une technique de magnétométrie à e¤et Hall est développée dans une application sur un matériau de type GaMnxAs=InyGaAs: Le but étant d étudier l e¤et de la contrainte d épitaxie, introduite par la couche tampon de InyGaAs, sur l orientation de l aimantation dans la couche magnétique du GaMnxAs. une caractérisation d un matériau GaMnxAs est faite dans la phase ferromagnétique à basse température. Un contrôle précis de l aimantation dans le matériau est réalisé par des mesures de magnéto-transport. La détection de la transition de spin des nanoparticules est réalisée par un capteur à e¤et Hall planaire fabriqué à base de multicouches magnétiques. Le travail e¤ectué est pionnier dans le domaine de la détection nanomagnétique, car il ouvre la voie à de nouvelles perspectives dans la recherche fondamentale et dans le développement technologique des capteurs magnétiques.