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Calcul l'absorption optique inter sous-bande dans une structure à puits quantique contrainte à base de GaxIn1􀀀xAs=InP

dc.contributor.authorBELAZOUZ, Nadjet
dc.contributor.authorBOUTOULA, Fatma Zahra
dc.contributor.authorSEBBAR, D.
dc.date.accessioned2023-03-21T09:21:04Z
dc.date.available2023-03-21T09:21:04Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractDans ce travail nous pr esenterons un rappel sur les semi-conducteurs et nous exposons aussi les structures des puits quantique. Ainsi que nous etudions la r esolution de l' equation de Schr odinger pour une structure a puits quantique (double barri eres) Pour obtenir le coe cient d'absorption dans un semi-conducteur InP=GaxIn1{xAsde puits quantiques a potentiel de con nement ni par la m ethode de la matrice de transfert(MMT). Apr es nous etudions l'in uence des param etres physique comme la largeur w de puits quantique, la composition x, la di erence de potentielleVa, la temp erature, et le dopage ns. En n nous exposons les di erents r esultats de calcul num eriques qui sont analys es et discut es.fr
dc.identifier.citationPhysique des matériauxfr
dc.identifier.govdocM620155
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-medea.dz/handle/123456789/8851
dc.language.isofrfr
dc.relation.ispartofseriesM620155;
dc.subjectcoefcient d'absorptionfr
dc.subjectla matrice de transfertfr
dc.subjectle champ électriquefr
dc.subjectEquation de Schr odingerfr
dc.titleCalcul l'absorption optique inter sous-bande dans une structure à puits quantique contrainte à base de GaxIn1􀀀xAs=InPfr
dc.typeThesisfr

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